Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Oswald, Jiří ; Slavická Zíková, Markéta
Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.\n
Plazmochemická syntéza boridů, karbidů a nitridů přechodných kovů
Brožek, Vlastimil ; Ctibor, Pavel
Pro technickou praxi jsou zatím nejdůležitější boridy titanu a zirkonia, karbidy boru, vápníku, křemíku, titanu, zirkonia, hafnia, hliníku a chromu a nitridy boru, křemíku a titanu. Kromě karbidu wolframu se v celé ČR ani jedna z výšeuvedených sloučenin již nevyrábí, přestože podmínky, zázemí i starší know-how zde ještě jsou. Příspěvek popisuje možnosti plazmochemické syntézy těchto sloučenin, včetně způsobů jejich zpracování na povrchové funkční vrstvy nebo tenkostěnné tvarované součásti.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.